刻蚀设备商场空间巨大。据Factor Equilibrium数据，2016年全球刻蚀设备商场为78亿美元；2017年~2025年商场销售额复合增长率为6.8%。获益建厂潮，国内产线亿美元刻蚀设备需求。国产刻蚀设备占有率不到20%，国产化率极低。制程不断推进及规划结构日益杂乱是推进刻蚀设备商场的中心逻辑。新的制作工艺，如多重图形、根据金属硬掩模的双大马士革工艺、浅沟道刻蚀、深邃宽比和高挑选比刻蚀等技能不断对刻蚀设备提出应战。结构上，动态随机存取存储器和Logic/Foundry小型化、3D NAND堆叠层数不断增多、鳍式场效应晶体管成为干流等结构立异，使得刻蚀难度和刻蚀过程继续不断的添加，拉动刻蚀设备需求和开展。
干法刻蚀是商场干流，硅刻蚀难度最大，反应离子刻蚀是现在业界要点开展趋势，原子层刻蚀是未来之星。硅刻蚀作为晶体管层刻蚀，刻蚀挑选比到达150：1，14纳米下深宽比到达约30：1，难度最大。
海外公司称雄商场，“内部研制+外延并购”打造具有技能优势的渠道型企业，解决方案逐渐晋级。泛林和使用资料在全球刻蚀范畴商场占有率位列第一名和第三名。国内刻蚀公司服务优势明显，技能紧跟脚步，有望完成弯道超车。国内公司具有具有地舆优势，服务呼应快速。北方华创主攻硅刻蚀和金属刻蚀，14纳米制程已进入验证阶段；8英寸高密度等离子硅刻蚀机已进入中芯世界产线；深硅刻蚀机成功前进东南亚商场。中微半导体深耕介质刻蚀设备，7纳米制程已完成量产，并成功进入台积电产线纳米制程正在研制；电容型介质刻蚀设备已进入全球前三；硅通孔刻蚀设备方面，8英寸和12英寸设备国内市占率超越50%。
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