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跟着3D NAND的堆叠层数渐渐的变多，厂家门也在着手研讨新的出产技术以改善功率，SK海力士就在评价东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备能在-70℃的低温下运转，用来生成400层以上堆叠的新式3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统东西的三倍，对多层数的3D NAND十分有用。
依据thelec的音讯，SK海力士正在把测验晶圆发送到东京电子的实验室，而不直接进口设备，很明显是在评价新设备的才能。当时的蚀刻工艺是在0℃到30℃的温度范围内作业的，而东京电子的蚀刻设备在-70℃低温下运转，这形成了明显的比照，依据他们的论文数据，新的蚀刻机能够在33分钟内进行10微米深的高深度比蚀刻，比现有东西快三倍以上，这一效果是一项严重的技术进步，并且极大的提高了3D NAND的出产功率。
SK海力士现在的321层3D NAND听说选用了三重仓库结构，选用东京电子的新设备后可能以单仓库或双仓库的方法构建400层的3D NAND，出产功率明显提高，当然这能否成功还得看设备的可靠性以及功能一致性。
此外SK海力士考虑运用低温蚀刻设备的另一个原因是削减碳排放，现有的蚀刻工艺中，运用的是具有较高全球变暖潜能值(GWP)的碳氟化合气体，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分别为6030和9540，但东京电子新一代蚀刻设备运用的是GWP小与1的氟化氢气体，这将大幅度削减温室气体的排放。
一起三星也在验证这一新技术，与SK海力士不同的是，三星是直接引入东京电子的新设备做测验。