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企业以最高232层NAND flash抢占商场，一同以强烈的价格战压得、美光举白旗的时分，日前音讯指日本刻蚀机企业东京电子忽然宣告已研制成功400层NAND flash体系，期望借这些技能改变下风。
我国的存储芯片企业发家于2016年，为了树立自主的技能，我国存储芯片企业从最低层的32层NAND flash技能开端开展，到了2020年研制成功128层NAND flash存储芯片技能，追上了全球干流技能水平。
2022年我国的存储芯片企业二期工程量产，存储芯片产能将翻2两倍，一同存储芯片技能也首先量产232层NAND flash，技能和产能的提高快速降低了本钱，我国存储芯片由此开端依托低本钱优势大举抢占商场。
恰在其时全球芯片职业呈现供应过剩，芯片价格急跌，我国存储芯片不怕芯片下行周期，反而逆周期扩张，给韩国、日本和美国的存储芯片带来非常大的压力。2022年末以来，韩国的三星、美国的美光一度跟进价格战，坚强抵挡我国存储芯片的竞赛。
但是到了本年一季度，美光先顶不住了，因美光该季度的营收只需40亿美元却亏本了23亿美元，首先表明不再降价；三星随后也表明不会再降价，一同因为库存激增至3400亿元，减产，而在以往三星但是最喜欢逆周期扩张的，可见这场价格战的强烈。
这次东京电子宣告研制成功400层NAND flash刻蚀体系，将有利于美日韩的存储芯片企业扳回技能下风，一同依托更先进的技能也能逐渐降低本钱，这成为它们防止在存储芯片职业持续沉沦的期望。
因为众所周知的原因，东京电子等日本芯片设备公司制造的23种芯片设备都不能对我国出售，我国存储芯片这次恐怕无法快速提高存储芯片的技能，很可能在未来数年时刻都将落后于美日韩存储芯片，让它们取得喘息之机。
不过在存储芯片职业，我国的芯片设备则有必定的优势，我国的刻蚀机企业已研制成功5纳米刻蚀机，在许多芯片设备傍边追上了全球干流技能水准，如此美日韩存储芯片职业先进的刻蚀技能应不会坚持太长时刻。
一同我国是全球最大的芯片商场，现在国产存储芯片占有的商场占有率不过5%左右，即便仅是占据国内商场也还有数倍的增加空间，这都可认为国产存储芯片供给开展的膏壤，以及缓冲的时机，美日韩存储芯片将无法依托先进的技能限制我国存储芯片。
我国的存储芯片工业的开展让海外吃惊，也让他们看到我国芯片的巨大潜力，短短数年时刻就从零起步到赶上干流技能水平，阐明只需我国芯片职业一同尽力，其他芯片技能跟上全球干流水平有很大期望，日本暂时的技能优势只会影响我国存储芯片加快技能开展，赶快跟上它们的脚步。
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