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金融界2024年5月29日音讯，据国家知识产权局公告，中微半导体设备（上海）股份有限公司请求一项名为“晶圆斜面蚀刻设备和办法“，公开号CN4.8，请求日期为2022年11月。
专利摘要显现，本发明公开了一种晶圆斜面蚀刻设备和办法，该晶圆斜面蚀刻设备包含：腔体；基座，坐落腔体内，盖板，坐落基座上方，且与基座相对设置，盖板与基座之间限制一等离子体按捺区，晶圆的中心区域坐落盖板与基座之间的等离子体按捺区内，该设备还包含：上电极环，环绕盖板设置；下电极环，环绕基座且与上电极环相对设置，上电极环和下电极环之间可发生等离子体以对晶圆的边际区域进行刻蚀；榜首射频耦合设备和/或第二射频耦合设备，上电极环经过榜首射频耦合设备接地；和/或，下电极环经过所述第二射频耦合设备接地。本发明可以对晶圆斜面蚀刻设备反响腔体内等离子密度进行调理，然后便于有用完成晶圆斜面边际顶部和底部表面膜堆积的去除。
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