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金融界2024年10月24日音讯，国家知识产权局信息数据显现，珠海镓未来科技有限公司请求一项名为“半导体器材制造的进程及半导体器材”的专利，公开号CN 118800656 A，请求日期为2024年9月。
专利摘要显现，本请求施行例供给了一种半导体器材制造的进程及半导体器材；本请求施行例在制造半导体器材时，在制造电介质层之后，能够在该电介质层上经过光刻构成多种宽度的光刻窗口，然后，经过干法刻蚀，在光刻窗口处构成深度不等的凹槽结构，再然后，经过对该电介质层进行湿法刻蚀，使得相邻的凹槽结构连通，从而构成多个深度不同的台阶结构，尔后，便能够在这些台阶结构上制造金属场板等结构，以得到半导体器材；该计划能够大幅度下降工艺本钱和时刻，进步制造功率和器材的可靠性。
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