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发布了2024年前三季度陈述，财报显现公司完结盈余收入 55.07 亿元，同比添加36.3%。其间刻蚀设备收入 44.13 亿元，同比添加约 53.77%。第三季
中微公司的根本的产品包含刻蚀设备、MOCVD 设备、薄膜堆积设备，以及VOC 设备等其他设备。2024 年前三季度，公司等离子刻蚀设备收入44.13 亿元，占总收入比80.13%；其间CCP (等离子体刻蚀设备）收入23.87 亿元，占总收入比 43.33%；ICP (电感耦合等离子体刻蚀设备）收入 20.26亿元，占总收入比 36.79%。
CCP和ICP是两类干流的干法刻蚀设备，国内首要厂商有中微公司和华创北方。北方华创是ICP发家。中微公司是CCP发家，2007年研制了首台CCP设备，随技能投入，进入更多半导体设备范畴。仅仅是本年上半年，中微公司累计出产付运超越 3600 个 CCP 刻蚀反响台，新增付运设备数量创前史新高。
不过净利润下滑了21.27%，为9.12亿元。关于净利润下滑，中微公司表明首要是遭到研制投入添加的影响，前三季度的研制开销同比添加96.0%。前三季度公司研制开销 15.44 亿元，占公司营收份额约为 28.03%。中微公司表明，“本年，商场对中微开发多种新设备的需求急剧添加，2024 年公司明显加大研制力度，以赶快补短板，完结赶超。”
先进制程和先进存储拉动刻蚀设备的需求的要害，而且对设备技能也有更高的要求。材料显现，先进制程对刻蚀工艺次数的要求更多，65nm制程、10nm制程、5nm制程别离需求20次、117次、160次刻蚀工艺，且对精确度也有更高的要求。而先进存储芯片结构逐步变得复杂，例如3D NAND层数继续不断的添加，则要求刻蚀技能有更高的深宽比。
在存储器材制作工艺中，中微公司针对超深邃宽比刻蚀自主开发的具有大功率 400kHz 偏压射频的 Primo UD-RIE 现已在出产线 深宽比结构的量产才能。该设备适用于DRAM和 3D NAND 器材制作中最要害的深邃宽比刻蚀工艺。
针对ICP设备，中微公司方案推出下一代 ICP 刻蚀设备，以满意新一代的逻辑、DRAM 和 3D NAND 存储等芯片制作对 ICP 刻蚀的需求。
在薄膜堆积设备方面，现在在研制的薄膜堆积类产品一共有 20 多类，2023 年现已付运
MOCVD 设备方面，中微公司活跃布局用于碳化硅和氮化镓基功率器材使用的商场，并在 Micro-LED和其他显现范畴的专用 MOCVD 设备开发上获得发展，几款已付运和行将付运的 MOCVD 新产品正在连续进入商场。
此外，中微公司的EPI 设备已顺畅进入客户端量产验证阶段，已完结多家先进逻辑器材与 MTM 器材客户的工艺验证。
商场需求的添加为中微公司带来更多的订单，也是前三季度成绩添加的要害。中微公司前三季度新增订单76.4 亿元，同比添加约 52.0%。其间刻蚀设备新增订单 62.5 亿元，同比添加约 54.7%；新产品LPCVD 新增订单3.0 亿元，新产品 LPCVD 设备首台出售的收益为 0.28 亿元，开端发动放量。
中微公司表明，依照每个客户订单需求，前三季度共出产专用设备 1,160 腔，同比添加 约 310%，对应产量约94.19亿元，同比添加约 287%。
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