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金融界 2024 年 7 月 11 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，台湾积体电路制作股份有限公司请求一项名为“半导体器材及其构成办法”，公开号 CN3.1，请求日期为 2024 年 3 月。
专利摘要显现，一种构成半导体器材的办法有构成从衬底杰出的鳍，鳍包含坐落鳍基部上方的外延堆叠件和坐落外延堆叠件上方的硬掩模层，外延堆叠件包含不一样的资料组成的榜首半导体层和第二半导体层，履行榜首蚀刻工艺以蚀刻硬掩模层，榜首蚀刻工艺包含施加榜首蚀刻剂组合，履行第二蚀刻工艺以蚀刻外延堆叠件，第二蚀刻工艺包含施加第二蚀刻剂组合，以及履行第三蚀刻工艺以蚀刻鳍基部，第三蚀刻工艺包含施加第三蚀刻剂组合。榜首蚀刻剂组合、第二蚀刻剂组合和第三蚀刻剂组合是互相不同的。本请求的施行例还供给了半导体器材。