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专利摘要显现，本揭露供给了一种蚀刻机台的刻蚀缺点的检测的新办法，归于半导体出产制作技术领域。该办法有供给测验晶圆，所述测验晶圆包含衬底、榜首介质层和第二介质层，所述榜首介质层和所述第二介质层顺次构成于所述衬底的顶外表，所述衬底内设置有电容触摸结构；将所述测验晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述榜首介质层，以构成电容孔；去除所述第二介质层，以构成量测晶圆；将所述量测晶圆传递至缺点查验测验机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；依据所述量测晶圆的电容孔的形状，确认所述待测蚀刻机台是不是真的存在刻蚀缺点。该办法简略快捷，可精确判别待测蚀刻机台是不是真的存在刻蚀缺点，进步对蚀刻机台的检测功率。