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中微创始人、全球等离子体刻蚀技能权威专家尹志尧教授，在2024年度总结会上语惊世界：自己在美国工作了40年，从来就没想到过咱们能做到这么高的刻蚀精度。他泄漏：中微最新刻蚀机的准确度已达到0.02纳米，每次加工一个原子都不差。这让美国硅谷的芯片巨子们坐不住了。
我国刻蚀机准确度全球榜首了吗？带着这样的一个问题，劲风仔细做了一番功课，但由于是芯片范畴的外行人，没有搜到准确度0.02这个概念，用来表明准确度的规范好像仍是百分比，比方，《瑞士开发出首个高性能、微型脑机接口芯片MiBMI，准确率高达91%》、《芯片新进展：达摩院研制出两比特量子芯片，单比特控制精度达99.97%》等，没有说0.02纳米的。
上一年12月28日，由我国工业报社主办的第十七届我国工业论坛在京举行，国家统计局原副局长贺铿坚信：“我国正在打破美西方的技能封闭，走出自己的研制之路，以长攻美西方之短，以短克美西方之长。尽管我国现在还不能出产4纳米芯片，但咱们国家出产的7纳米芯片已在全世界内占有很高比重。”这是官方的定论。
而世界上最强芯片在哪里呢？毫无疑问是英伟达。11月18日，榜首财经资讯发布一篇文章，其间写道：
“事实上，台积电为AMD代工的最新芯片是4纳米的。台积电为英特尔代工的3纳米CPU也出了大问题。台积电为英伟达代工的3纳米GPU问题更严峻。台积电为高通代工的3纳米手机芯片也是在降频运用，并不是可正常运用的、线纳米芯片可用晶体管数量只要35—45%，台积电3纳米芯片可用晶体管数量只会更少。
据尹志尧描绘：“这一刻蚀精度现已远超世界同类设备，达到了世界顶配水平。”
尹教授当年在美国泛林科技公司和使用资料公司等任职期间，现已把等离子体刻蚀机技能开展到了世界领先水平。2004年，年近花甲的他抛弃在美国的一切荣誉与位置，回到祖国兴办中微半导体设备有限公司。
在中微，他带回三十多名在等离子体刻蚀技能范畴相同享有盛誉的专家。通过20年的开展，中微刻蚀设备现已满意5纳米以下器材制作需求，并正在继续拓宽3纳米、2纳米等更先进制程节点的技能储备。
现已80多岁高龄的尹教授依然坚守在科研一线。他用毕生精力和才智，为东方大国在集成电路产业链上游范畴获得打破奉献着力气。
这就有点古怪，尹教授带回国一些在美国企业名不经传的研制职工，成立了一个企业，用国外的一些技能，就遥遥领先了。
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