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近来，金融界报导，姑苏长光华芯光电技能股份有限公司及其研究院在国家知识产权局请求了一项名为“半导体刻蚀办法”的专利（公开号CN119340780A），该请求日期为2024年12月。这项立异专利旨在为Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体的刻蚀进程带来明显提高。
专利的中心在于提出了一种新颖的刻蚀方法，首先是对衬底结构能够进行干法浅刻蚀，随后再经过氧气等离子处理，从而去除刻蚀进程中发生的副产品。经过这样的循环处理，新办法明显改进了刻蚀后凹槽的笔直度，为电子器件的制作供给了更高的精确性和功率。
长光华芯成立于2012年，总部在姑苏，一向在为计算机、通讯以及其他电子设备的制作业供给支撑，现注册本钱到达17627万人民币，实缴本钱为9663万人民币。公司的立异才能不能够小看，已具有250项专利以及多项商标信息，显示出其在半导体和光电范畴的雄厚实力。
跟着半导体技能的不断演进，这项新专利无疑将为职业带来深远的影响，加强了我国在全球科学技能竞赛中的位置。关于未来, 这项专利也预示着长光华芯在全球商场的野心和潜力，令人等待其后续的技能发展与效果。回来搜狐，检查更加多